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DMN65D8LDW-7

Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
鉛フリー/ RoHS準拠
ディスクリート半導体製品
DMN65D8LDW-7.pdf

品番DMN65D8LDW-7これは一般的な部品ですか？：はい
発送元：香港またはシンガポールの倉庫
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パッケージング

同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-363
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	6 Ohm @ 115mA, 10V
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	22pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	0.87nC @ 10V
FETタイプ:	2 N-Channel (Dual)
FET特長:	Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	180mA

注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。

それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。

それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。