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EPC2020

EPC2020
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品番EPC2020これは一般的な部品ですか? : はい
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購入プロセス

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 16mA
Vgs(最大):+6V, -4V
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:Die
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2.2 mOhm @ 31A, 5V
電力消費(最大):-
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:Die
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1780pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:16nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):90A (Ta)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。