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FQD12P10TF

1.ご注文時に品番と製品の製造元を含む詳細をご確認ください。
あなたが部品表(BOM)リストを引用することを必要とするならば、あなたは我々の電子メールに送ることができました。
あなたは出荷前に注文の詳細を変更するために私達に電子メールを送ることができます。
4.発送後のキャンセルはできません。

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備考

購入プロセス

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252, (D-Pak)
シリーズ:QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):290 mOhm @ 4.7A, 10V
電力消費(最大):2.5W (Ta), 50W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:800pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:27nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9.4A (Tc)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。