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FQPF8N80C

Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
鉛フリー/ RoHS準拠
ディスクリート半導体製品
FQPF8N80C.pdf

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同上@ VGS（TH）（最大）:	5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220F
シリーズ:	QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.55 Ohm @ 4A, 10V
電力消費（最大）:	59W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3 Full Pack
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2050pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	45nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	8A (Tc)

注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。

それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。

それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。