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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I-Pak |
シリーズ: | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V |
電力消費(最大): | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 670pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 19nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.8A (Tc) |