| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-247 |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 300 mOhm @ 6A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 180W (Tc) |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 960pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 19nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 700V |
| 詳細な説明: | N-Channel 700V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 12A (Tc) |
IXTH130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO-247
IXTH130N15T
MOSFET N-CH 150V 130A TO-247
IXTH12N150
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
IXTH12N120
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
IXTH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
IXTH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
IXTH130N20T
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247
IXTH13N110
MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
IXTH12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
IXTH12N100L
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
S908QC8MDYER
in stock
VS-12MC-EIM2
in stock
GBU12D
in stock
BCM43526KMLG
in stock
1812S260MR
ELM9727NBA
IDW10G65C5
LM3722IM5X-4.63
LTC7862FE#PBF
SA358M
