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| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-247 (IXTH) |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 65 mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 400W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 4400pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 165nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 300V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 50A (Tc) |
IXTH500N04T2
MOSFET N-CH 40V 500A TO-247
IXTH52N65X
MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
IXTH50P085
MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD
IXTH4N150
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
IXTH50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
IXTH50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
IXTH50N28T
IXTH50P10
MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
IXTH52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
IXTH54N30T
MOSFET N-CH 300V 54A TO-247
M252571
MODULE PWR 25A 300V SCR CENTR CC
L601E375
TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92
BCR35PNE6327BTSA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
APTC90DSK12T1G
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
SI7856ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
PMV170UN,215
MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB
IRFPC50LC
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
ATS-19E-149-C3-R0
HEATSINK 35X35X20MM L-TAB T412
ATS-04E-174-C3-R0
HEATSINK 30X30X35MM R-TAB T412
