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BSZ086P03NS3 G

BSZ086P03NS3 G
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US$ 0.373
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購入プロセス

同上@ VGS（TH）（最大）:3.1V @ 105µA
Vgs（最大）:±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TSDSON-8
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:8.6 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大）:2.1W (Ta), 69W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:4785pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:57.5nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:13.5A (Ta), 40A (Tc)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。

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