IRF3205ZSTRRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
鉛フリー/ RoHS準拠
ディスクリート半導体製品
IRF3205ZSTRRPBF.pdf

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パッケージング

同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	6.5 mOhm @ 66A, 10V
電力消費（最大）:	170W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3450pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	110nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	75A (Tc)