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価格 | |
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4000 | $0.315 |
8000 | $0.293 |
12000 | $0.283 |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 60 mOhm @ 5.3A, 10V |
電力消費(最大): | 2.5W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 860pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 25nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5.3A (Ta) |