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IRFR2905ZTRR

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備考

購入プロセス

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D-Pak
シリーズ:HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):14.5 mOhm @ 36A, 10V
電力消費(最大):110W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1380pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:44nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
ソース電圧(VDSS)にドレイン:55V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):42A (Tc)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。