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| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.9V @ 1mA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3-1 |
| シリーズ: | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 208W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 2400pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 114nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 20.7A (Tc) |
SPI20N65C3
SPI20N60CFDHKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
SPI21N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK
SPI20N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
SPI21N50C3
SPI20N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
SPI21N10
MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
SPI35N10
MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
SPI20N60C3
in stock
SPI21N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
UMC5NTR
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
STD90N03L-1
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
IRL630STRR
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
APTGF50X60T3G
IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3
A15638-01
TPUTTY 504 305CC CARTRIDGE
ATS-P2-38-C2-R0
HEATSINK 36.83X57.6X22.86MM T766
ATS-09E-167-C3-R0
HEATSINK 25X25X20MM R-TAB T412
ATS-01B-11-C1-R0
HEATSINK 50X50X10MM XCUT
ATS-09D-142-C3-R0
HEATSINK 30X30X15MM L-TAB T412
ATS-21C-146-C1-R0
HEATSINK 30X30X35MM L-TAB