品番SPP11N60CFDHKSA1これは一般的な部品ですか? : はい
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 500µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO220-3-1 |
シリーズ: | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 440 mOhm @ 7A, 10V |
電力消費(最大): | 125W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1200pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 64nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11A (Tc) |