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RTF010P02TL

RTF010P02TL
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購入プロセス

同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 1mA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TUMT3
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):390 mOhm @ 1A, 4.5V
電力消費(最大):800mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:3-SMD, Flat Leads
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:150pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:2.1nC @ 4.5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):1A (Ta)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。