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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V, 15V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大): | 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA |
トランジスタ型式: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-666 |
シリーズ: | - |
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム): | 2.2k |
抵抗 - ベース(R1)(オーム): | 2.2k |
電力 - 最大: | 300mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
装着タイプ: | Surface Mount |
周波数 - トランジション: | 280MHz |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 1µA, 100nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA, 500mA |