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RN1901,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
鉛フリー/ RoHS準拠
ディスクリート半導体製品
RN1901,LF(CT.pdf

1.ご注文時に品番と製品の製造元を含む詳細をご確認ください。
あなたが部品表（BOM）リストを引用することを必要とするならば、あなたは我々の電子メールに送ることができました。
あなたは出荷前に注文の詳細を変更するために私達に電子メールを送ることができます。
4.発送後のキャンセルはできません。

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パッケージング

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	US6
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	1k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	4.7k
電力 - 最大:	200mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
装着タイプ:	Surface Mount
周波数 - トランジション:	250MHz
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	30 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA

注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。

それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。

それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。