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| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-263 (D²Pak) |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 160 mOhm @ 8.4A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 3.7W (Ta), 88W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 670pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 26nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 14A (Tc) |
IRF530STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IRF533
IRF531
IRF53HD420-P2
IRF530STRR
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IRF530SPBF
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IRF540
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220
IRF530STRL
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IRF532
IRF530STRPBF
IRFS7534-7PPBF
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
IPI03N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
IRF9Z34NLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
ATS-13B-49-C3-R0
HEATSINK 30X30X10MM L-TAB T412
ATS-01D-88-C1-R0
HEATSINK 35X35X25MM R-TAB
ATS-11E-81-C3-R0
HEATSINK 30X30X20MM R-TAB T412
ATS-07A-86-C3-R0
HEATSINK 35X35X15MM R-TAB T412
ATS-06E-199-C2-R0
HEATSINK 50X50X6MM XCUT T766
ATS-16C-94-C2-R0
HEATSINK 40X40X25MM R-TAB T766
