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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

品番SI2308DS-T1-E3これは一般的な部品ですか？ ： はい
発送元：香港またはシンガポールの倉庫
同じモデルに複数のバッチがある場合があります。参照用の画像です。
ECADモデル：入手するために私達に連絡しなさい
メールアドレス：sales@zeanoit.com

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購入プロセス

同上@ VGS（TH）（最大）:3V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:160 mOhm @ 2A, 10V
電力消費（最大）:1.25W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:240pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:10nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
ソース電圧（VDSS）にドレイン:60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:-


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。

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