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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI4322DY-T1-GE3

SI4322DY-T1-GE3

我々は、Vishay / Siliconix SI4322DY-T1-GE3を供給することができますSI4322DY-T1-GE3ピルス、Vishay / Siliconix Datasheet PDFとリードtime.Zeanoit.comを要求する要求見積もりフォームを使用して、プロの電子部品代理店です。使用可能な電子部品の数は3万以上にのぼり、短納期で出荷できます。部品数SI4322DY-T1-GE3を含む即時出荷のために、電子部品の250,000個以上の部品数が出荷可能です。量に応じたSI4322DY-T1-GE3の価格とリードタイム必要性、可用性、および倉庫の場所。

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購入プロセス

同上@ VGS（TH）（最大）:3V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SO
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:8.5 mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大）:3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:1640pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:38nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
ソース電圧（VDSS）にドレイン:30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:18A (Tc)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。

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