同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 8-Power33 (3x3) |
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シリーズ: | TrenchFET® Gen IV |
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同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V |
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電力 - 最大: | 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) |
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パッケージング: | Original-Reel® |
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パッケージ/ケース: | 8-PowerWDFN |
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他の名前: | SIZ328DT-T1-GE3DKR |
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運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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装着タイプ: | Surface Mount |
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水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
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メーカーの標準リードタイム: | 32 Weeks |
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鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
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入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 325pF @ 10V, 600pF @ 10V |
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ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V |
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FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
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FET特長: | Standard |
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ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 25V |
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詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
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電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) |