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SiZ328DT-T1-GE3

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購入プロセス

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-Power33 (3x3)
シリーズ:TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
電力 - 最大:2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
他の名前:SIZ328DT-T1-GE3DKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:32 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:325pF @ 10V, 600pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:25V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。