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電源電圧 - : | 13 V ~ 20 V |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 8-DIP |
シリーズ: | - |
立上り/立下り時間(Typ): | 250ns, 250ns |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
入力周波数: | 1 |
装着タイプ: | Through Hole |
ロジック電圧 - VIL、VIH: | 0.8V, 3V |
入力タイプ: | Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): | 600V |
ゲートタイプ: | IGBT, N-Channel MOSFET |
駆動構成: | High-Side |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク): | 130mA, 130mA |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大): | Single |