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| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 5V @ 100µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
| シリーズ: | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 78 mOhm @ 2.2A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 2.5W (Ta) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1750pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 44nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 3.7A (Ta) |
IRF7815TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
IRF7821
IRF7821GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
IRF7815PBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
IRF7821PBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
IRF7820TRPBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
IRF7814PBF
IRF7815
IRF7821PBF-1
IRF7811WTRPBF.
MUN5333DW1T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
NDC7002N_SB9G007
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A 6-SSOT
IRLR024TR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
APTCV60HM70RT3G
POWER MOD FULL BRIDGE SP3
ATS-19F-03-C1-R0
HEATSINK 40X40X15MM XCUT
ATS-10E-74-C2-R0
HEATSINK 25X25X15MM R-TAB T766
ATS-10H-159-C1-R0
HEATSINK 45X45X10MM L-TAB
ATS-08C-53-C1-R0
HEATSINK 30X30X30MM L-TAB
ATS-15E-89-C2-R0
HEATSINK 35X35X30MM R-TAB T766
ATS-17A-69-C3-R0
HEATSINK 45X45X20MM L-TAB T412
