DTB713ZMT2L

LAPIS Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
鉛フリー/ RoHS準拠
ディスクリート半導体製品
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価格
8000	$0.09
16000	$0.082
24000	$0.077
56000	$0.069

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パッケージング

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	30V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	300mV @ 2.5mA, 50mA
トランジスタ型式:	PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:	VMT3
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	10k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	1k
電力 - 最大:	150mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-723
装着タイプ:	Surface Mount
周波数 - トランジション:	260MHz
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	140 @ 100mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	200mA