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TP0606N3-G

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品番TP0606N3-Gこれは一般的な部品ですか? : はい
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購入プロセス

同上@ VGS(TH)(最大):2.4V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-92-3
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.5 Ohm @ 750mA, 10V
電力消費(最大):1W (Tc)
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:150pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:-
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):320mA (Tj)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。