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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > 2N7002K-T1-E3

2N7002K-T1-E3

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購入プロセス

同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:2 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費（最大）:350mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:30pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:0.6nC @ 4.5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:300mA (Ta)


注文していないコンポーネントが間違っている場合は、問題について責任を負う人を調査します。
それが私たちのものであれば、間違ったコンポーネントの送信を受け取った後、交換用品に適切なコンポーネントを配信します。
それがあなたの場合、顧客はそれについて責任を負います。詳細については、顧客サービスまたは販売に連絡してください。

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