| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1.8V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 18.5 mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 1.5W (Ta) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 13nC @ 5V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 6.5A (Ta) |
SI7806ADN
SI7804DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
SI7804DN
SI7806AEDN
SI7806ADN-T1-E3-PBF
SI7806ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
SI7802DN
SI7806ADN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
SI7802DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
SI7802DN-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
CMPTA64 TR
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
KSH29CITU
TRANS NPN 100V 1A I-PAK
TK7A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
IRLS4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
NTD110N02RG
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
BUK9213-30A,118
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
MUBW35-12A8
MODULE IGBT CBI E3
ATS-10A-117-C1-R0
HEATSINK 45X45X10MM XCUT
ATS-05C-55-C1-R0
HEATSINK 35X35X10MM L-TAB
ATS-14A-181-C1-R0
HEATSINK 40X40X10MM R-TAB
